问答题X 纠错
夹断、线性、饱和
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问答题
源漏之间的距离、沟道宽度、开启电压、栅绝缘氧化层的厚度、栅绝缘层的介电常数、载流子的迁移率
增强型
增强型和耗尽型
P型杂质增加、N型杂质降低。
是P和N半导体相互浸入形成的。如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型。
NMOS和PMOS
导体、绝缘体与衬底的掺杂半导体这三层材料叠在一起构成
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