A.电子；
B.空穴；
C.钠离子；
D.硅离子。

A.少数载流子反型状态，多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态
B.多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态
C.多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态，少数载流子反型状态
D.少数载流子反型状态，多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态

A.无关；
B.成正比；
C.成反比；
D.的平方成反比

A、平方成正比；
B、3/2次方成反比；
C、平方成反比；
D、1/2次方成正比；

A、不含杂质与缺陷；
B、电子密度与空穴密度相等；
C、电阻率最高；
C、电子密度与本征载流子密度相等。

A、各处出现的几率相同
B、各处的相位相同
C、各元胞对应点出现的几率相同
D、各元胞对应点的相位相同

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

A、Wms=0
B、Wms＜0
C、Wms＞0
D、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性

A、散射机构；
B、复合机构；
C、杂质浓度梯度；
C、表面复合速度。

A、1/4
B、1/e
C、1/e²
D、1/2