A、不含杂质与缺陷；
B、电子密度与空穴密度相等；
C、电阻率最高；
C、电子密度与本征载流子密度相等。

A、各处出现的几率相同
B、各处的相位相同
C、各元胞对应点出现的几率相同
D、各元胞对应点的相位相同

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

A、质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B、价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C、价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D、自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

A、Wms=0
B、Wms＜0
C、Wms＞0
D、阻值较小并且有对称而线性的伏－安特性

A、散射机构；
B、复合机构；
C、杂质浓度梯度；
C、表面复合速度。

A、1/4
B、1/e
C、1/e²
D、1/2

A、变大，变大
B、变小，变小
C、变小，变大
D、变大，变小

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）

A.半导体表面势
B.平带电压
C.平带电容
D.器件的稳定性