A、散射机构；
B、复合机构；
C、杂质浓度梯度；
C、表面复合速度。

A、1/4
B、1/e
C、1/e²
D、1/2

A、变大，变大
B、变小，变小
C、变小，变大
D、变大，变小

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）

A.半导体表面势
B.平带电压
C.平带电容
D.器件的稳定性

A.载流子发生能谷间散射
B.载流子迁移率增大
C.载流子寿命变大
D.载流子浓度变小

A.本征半导体
B.杂质半导体
C.金属导体
D.简并半导体

A.复合机构
B.散射机构
C.禁带宽度
D.晶体结构

A.无杂质污染
B.晶体生长更完整
C.化学配比更合理
D.宇宙射线的照射作用

A.空穴是一种真实存在的微观粒子
B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高