A、变大，变大
B、变小，变小
C、变小，变大
D、变大，变小

A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型

A.In（Wm=3.8eV）
B.Cr（Wm=4.6eV）
C.Au（Wm=4.8eV）
D.Al（Wm=4.2eV）

A.半导体表面势
B.平带电压
C.平带电容
D.器件的稳定性

A.载流子发生能谷间散射
B.载流子迁移率增大
C.载流子寿命变大
D.载流子浓度变小

A.本征半导体
B.杂质半导体
C.金属导体
D.简并半导体

A.复合机构
B.散射机构
C.禁带宽度
D.晶体结构

A.无杂质污染
B.晶体生长更完整
C.化学配比更合理
D.宇宙射线的照射作用

A.空穴是一种真实存在的微观粒子
B.MIS结构电容可等效为绝缘层电容与半导体表面电容的的并联
C.稳态和热平衡态的物理含义是一样的
D.同一种半导体材料中，电子迁移率比空穴迁移率高

A.若半导体导带中发现电子的几率为0，则该半导体必定处于绝对零度
B.计算简并半导体载流子浓度时不能用波尔兹曼统计代替费米统计
C.处于低温弱电离区的半导体，其迁移率和电导率都随温度升高而增大
D.半导体中，导带电子都处于导带底Ec能级位置

A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化