在半导体中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质。

非辐射复合：
表面复合；
深能级复合；
俄歇复合；

直接：电子在导带和价带之间的直接跃迁而引起的电子和空穴的复合消失过程
间接复合：电子空穴通过禁带中的能级复合

掺杂：增加浓度，
温度：增加本征载流子
光照：产生非平衡载流子，增加载流子数目

本征吸收：半导体吸收光子能量大于带隙的光子，使电子直接跃迁到导带。
又本征吸收产生的非平衡载流子的增加使半导体电导率增加。

耿氏振荡来源于半导体内的负微分电导，振荡频率决定于外加电压和器件的长度。

多能谷之间有效质量不同导致迁移率不同，当电子从一能谷跃迁到另一能谷时，迁移率会减低，导致导电性降低。

进行霍尔系数测量和回旋共振法测有效质量。