本征吸收：半导体吸收光子能量大于带隙的光子，使电子直接跃迁到导带。
又本征吸收产生的非平衡载流子的增加使半导体电导率增加。

耿氏振荡来源于半导体内的负微分电导，振荡频率决定于外加电压和器件的长度。

多能谷之间有效质量不同导致迁移率不同，当电子从一能谷跃迁到另一能谷时，迁移率会减低，导致导电性降低。

进行霍尔系数测量和回旋共振法测有效质量。

迁移率随温度的升高逐渐降低

锗的少子浓度高。由电阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和锗本征载流子浓度的数量级差别，可以算出锗的少子浓度高。

提高迁移率和和提高本征载流子浓度

总散射概率等于多种散射概率之和。