锗的少子浓度高。由电阻率=1/nqu和（ni）2=n0p0以及硅和锗本征载流子浓度的数量级差别，可以算出锗的少子浓度高。

提高迁移率和和提高本征载流子浓度

总散射概率等于多种散射概率之和。

电离杂质散射；
晶格振动散射，包括声子波和光学波散射；
其他因素散射：等能谷散射，中性杂质散射，位错散射，合金散射，等。

费米能级深入到导带或者价带中

决定因素：掺杂浓度，掺杂能级，导带的电子有效态密度等。
费米能级比较：强n>弱n>本征>弱p>强p

硅的禁带宽度比锗大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。