填空题X 纠错

前烘的目的是（）使胶膜中的溶剂只有初始浓度的（）。从而，使胶的（）性能稳定。对正胶，前烘过度会使非曝光区的胶（）；前烘不足，会使胶的感光度（），对比度（），线条边缘不陡直。所以，必须严格控制前烘的（）和（）。

参考答案：去除胶膜中的大部分溶剂；5%；曝光；部分溶解；提高；降低；时间；温度
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填空题

光刻胶的三种主要成分是：（）。正胶的感光剂是（），曝光使其（），正胶的曝光区在显影后（）； 曝光使负胶的感光剂（），使曝光区在显影后（）。

参考答案：感光剂、基体材料和溶剂；重氮醌；长链分子断裂；去除；交联；保留
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填空题

光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

参考答案：436nm；365nm；248nm；193nm
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填空题

光学光刻机主要有（）等几种。非光学光刻机主要有（）。

参考答案：接触式、接近式、投影式和分步重复光刻机；电子束光刻机和X射线光刻机
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填空题

光刻工艺的主要工序有：（）组成。

参考答案：涂胶、前烘、对位、曝光、显影、坚膜、介质刻蚀、去胶
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填空题

快速热处理设备（RTP）的主要热交换机制是（），常用热源是（）。RTP的主要优点是 （）。

参考答案：热辐射；钨-卤灯；时间短可减少杂质的再分布、灯光加热无污染
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填空题

CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级 ；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为（）量级。

参考答案：1012/cm2；1015/cm2；1011/cm2；1013/cm2；1018/cm2
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填空题

浅结制备的常用方法是：（）、（）加（）。而（）型浅结比（）型浅结更难制备。P型浅结常用（）、（）、（）来获得。

参考答案：降低注入离子能量；分子离子注入；快速热退火；P；n；BF2+离子替代B+注入；降低B+注入能量；硅注入表面预非晶化
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填空题

为了降低注入离子对衬底由于热沉积产生的温升，在高剂量、大束流离子注入时，可以采用（）扫描方式，在低剂量、小束流时一般用（）方式注入。

参考答案：混合；全电扫描
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填空题

离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）

参考答案：BF3；PH5；AsH5；SiH4
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填空题

（）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。

参考答案：沿晶体沟道注入离子的射程远大于随机方向注入离子射程的现象；硅片相对注入束偏转5-7°的注入角；表面生长氧化层；硅注入表面...
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