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LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。
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判断题
在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。
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