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判断题

在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。

参考答案:

判断题

在热氧化过程的初始阶段,二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定,处于线性氧化阶段。

参考答案:

判断题

用来制造MOS器件最常用的是(100)面的硅片,这是因为(100)面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。

参考答案:

问答题

列出几种常见封装的名称。

参考答案:

问答题

封装前的准备过程包括哪些?目的如何?

参考答案:

问答题

描述封装工艺的流程,并说明每一步的目的?

参考答案:①底部准备:底部准备通常包括磨薄和镀金。②划片:用划片法或锯片法将晶片分离成单个芯片③取片和承载:在挑选机上选出良品芯片...

问答题

封装有哪些功能?

参考答案:①紧固的引脚系统将脆弱的芯片表面器件连线与外部世界连接起来。②物理性保护(防止芯片破碎或受外界损伤)③环境性保护(免受化...

问答题

说明退火的目的和特点?

参考答案:①目的:A.修复晶格损伤B.注入杂质电激活:注入的杂质多以填隙式方式存在于硅中,无电活性。退火,在某一高温下保持一段时间...

问答题

简述离子注入的原理?

参考答案:离子注入是离子被强电场加速后注入靶中,离子受靶原子阻止,停留其中,经退火后杂质进入替位、电离成为具有电活性的杂质。这一过...

问答题

为什么要引入离子注入技术,离子注入技术有哪些优势?

参考答案:

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