A.工艺实现存在问题
B.源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小
C.阈值电压不可能缩的太小
D.电源电压标准的改变会带来很大的不便

A.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，集成度提高α倍
B.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，而单位芯片面积的功耗不变
C.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，单元电路的功耗下降α2倍
D.特征线宽等有关尺寸缩小α倍，电路速度可增加α倍

A.银浆固化
B.点银浆
C.烘烤
D.芯片粘接

A.热敏感度
B.物理的脆弱度
C.热的产生
D.集成度

A.一光检查
B.三光检查
C.二光检查
D.四光检查

A.190度
B.157度
C.180度
D.175度

A.电镀
B.CVD
C.MBE
D.PVD

A.银
B.金
C.铝
D.铜

A.铜
B.铝
C.钨
D.金