单项选择题X 纠错
A.高纯锗探测器是由Ge单晶制成B.杂质浓度约为105个原子/cm3C.因为纯度高,所以可以有很大的结区,即敏感体积D.耗尽层内的电场强度不是一致的
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单项选择题
A.锂漂移探测器不可以用来测量入射粒子的能量B.Ge(Li)探测器须保存在低温下C.Si(Li)探测器可在常温下保存D.锂漂移探测器能量分辨率高于NaI探测器
A.I区存在空间电荷B.I区为耗尽层,但是电阻率低于106ΩC.I区为主要的探测器敏感区域D.因为空间电荷的存在,平面型结构I区内不是均匀电场
A.Li为施主杂质B.锂离子是用于漂移成探测器的唯一可用离子C.基体用N型半导体
A.电流型前置放大器B.电压型前置放大器C.电荷灵敏前置放大器D.不需要使用前置放大器
A.结区的电场为均匀电场B.耗尽区的宽度与掺杂浓度无关C.结区电容与外加电压无关D.外加电压增大,耗尽层的宽度增加
A.平均电离能比闪烁体探测器低B.载流子数目服从泊松分布C.电子迁移率与空穴迁移率相近D.掺杂会大大降低半导体的电阻率
A.高的电阻率,短的载流子寿命B.高的电阻率,长的载流子寿命C.低的电阻率,长的载流子寿命D.低的电阻率,短的载流子寿命
A.LiB.BC.PD.Al
A.能量分辨率好B.对γ射线的探测效率高C.结构紧凑D.不易受射线损伤
A.光电倍增器件B.组分恒定的气体环境C.闪烁体D.前置放大器
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