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参考答案:版图设计的基本前提条件是:计算机辅助版图设计工具;版图设计规则;与设计相关的工艺文件。
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问答题

比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路,试分析两者存在差异的原因。

参考答案:砷化镓和磷化铟等衬底为半绝缘体,硅衬底为半导体。因此,硅衬底上电感有衬底损耗电阻和电容。

问答题

试述两种传输线电感,比较其优缺点。

参考答案:

问答题

利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算栅极电容。

参考答案:

问答题

集成电容主要有几种结构?

参考答案:1)金属-绝缘体-金属(MIM)结构;2)多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构;3)金属的叉指结构4)PN结电容;5)MOS...

问答题

什么是无源电阻?什么是有源电阻?举例说明。

参考答案:无源电阻通常是合金材料或采用掺杂半导体制作的电阻,而有源电阻则是将晶体管进行适当的连接和偏置,利用晶体管的不同的工作区所...

问答题

试用电导率为102/(Ω·cm),厚1μm的材料设计1kΩ的电阻,设电阻宽1μm,求其长。

参考答案:

问答题

什么是电阻率?它的单位是什么(国际标准单位制)?

参考答案:

问答题

MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响?

参考答案:若MOS器件按比例因子α缩小后,器件速度得意提高、功耗减小、芯片面积减小集成度提高。

问答题

说明MOS器件噪声的来源、成因及减小方法。

参考答案:MOS器件噪声的来源:A.热噪声,由沟道内载流子无规则运动引起,可通过增加MOS的栅宽和偏置电流来减小。B.闪烁噪声,沟...

问答题

MOS器件存在哪些二阶效应?

参考答案:二阶效应包括:短沟道效应,窄沟道效应,迁移率退化,沟道长度调制效应,静电反馈效应等。
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