问答题
X 纠错
已知突变PN结零偏势垒电容为3pF，内建势垒电压为0.5V，计算10V反偏电压时的势垒电容。
参考答案：
进入题库练习
查答案就用赞题库小程序
还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用
你可能喜欢
问答题
与CMOS工艺相比，GaAs工艺有什么主要特点？
参考答案：
与CMOS工艺相比，GaAs工艺具有速度高、噪声小、驱动能力强的优点。但其缺点是价格高、功耗大、成品率低。
点击查看答案
进入题库练习
问答题
GaAs HEMT与MESFET的主要区别是什么？
参考答案：
HEMT也属于FET的一种，它有与MESFET相似的结构。HEMT与MESFET之间的区别在于有源层。
点击查看答案
进入题库练习
问答题
目前GaAs工艺有哪几类？
参考答案：
GaAs工艺分为三大类：GaAs MESFET，GaAs HEMT，GaAs HBT。
点击查看答案
进入题库练习
问答题
与以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺相比，以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺有什么特点？
参考答案：
点击查看答案
进入题库练习
问答题
BiCMOS工艺技术常分为哪两类？它们各有什么特点？
参考答案：
BiCMOS工艺技术大致可以分为两类：分别是以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺和以双极工艺为基础的BiCMOS工艺。...
点击查看答案
进入题库练习
问答题
常规双极型工艺需要几次光刻？每次光刻分别有什么作用？
参考答案：
点击查看答案
进入题库练习
问答题
双极、CMO和BiCMOS集成电路器件各有何特点？
参考答案：
双极器件具有速度高、驱动能力强和低噪声等特性，但功耗大而且集成度低。CMOS器件具有低功耗、集成度高和抗干扰能力强等优点...
点击查看答案
进入题库练习
问答题
为什么在相同工艺条件和相同几何尺寸下NMOS管速度要高于PMOS管？如果相同栅长的N管和P管要达到相同的速度，理论上N管和P管要满足什么条件？
参考答案：
因为NMOS管的导电沟道是由带负电的电子累积而成，而PMOS管的导电沟道是由带正电的空穴累积而成，由于电子的迁移率大约是...
点击查看答案
进入题库练习
问答题
简述CMOS工艺的基本工艺流程（以1×poly，2×metal N阱为例）。
参考答案：
点击查看答案
进入题库练习
问答题
试述 “鸟嘴”效应是如何产生的？它对MOS器件有什么影响？
参考答案：
通常，IC器件之间通过氧化去来隔离的，在局部氧化隔离工艺中，由于氧化过程中的渗透作用，造成了氧化区具有“鸟嘴形”。这种形...
点击查看答案
进入题库练习
赞题库
赞题库-搜题找答案
（已有500万+用户使用）
历年真题
章节练习
每日一练
高频考题
错题收藏
在线模考
提分密卷
模拟试题
无需下载 立即使用
手机版
电脑版
版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved
