A.热电极
B.保护管
C.绝缘管
D.接线盒

A.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上
B.半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀
C.周围环境温度变化
D.激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配

A.激励电流
B.磁感应强度
C.霍尔器件宽度
D.霍尔器件长度

A.位移
B.速度
C.加速度
D.光强

A.位移
B.速度
C.加速度
D.光强

A.半导体材料的霍尔常数比金属的大
B.半导体中电子迁移率比空穴高
C.半导体材料的电子迁移率比较大
D.N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件

A.与单片相比，并联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压不变
B.与单片相比，串联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压增大1倍
C.与单片相比，并联时电荷量不变、电容量减半、输出电压增大1倍
D.与单片相比，串联时电荷量不变、电容量减半、输出电压不变

A.输入电荷
B.反馈电容
C.电缆电容
D.放大倍数

A.产生纵向压电效应
B.产生横向压电效应
C.不产生压电效应
D.产生逆向压电效应

A.适于测量任意
B.适于测量直流
C.适于测量缓变
D.适于测量动态

A.晶体厚度成反比
B.晶体面积成正比
C.作用在晶片上的压力成正比
D.剩余极化强调成正比