你可能喜欢
单项选择题
A.半导体材料的霍尔常数比金属的大
B.半导体中电子迁移率比空穴高
C.半导体材料的电子迁移率比较大
D.N型半导体材料较适宜制造灵敏度较高的霍尔元件
单项选择题
A.与单片相比,并联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压不变
B.与单片相比,串联时电荷量增加1倍、电容量增加1倍、输出电压增大1倍
C.与单片相比,并联时电荷量不变、电容量减半、输出电压增大1倍
D.与单片相比,串联时电荷量不变、电容量减半、输出电压不变
单项选择题
A.串联时输出电压不变,电荷量与单片时相同
B.串联时输出电压增大一倍,电荷量与单片时相同
C.串联时电荷量增大一倍,电容量不变
D.串联时电荷量增大一倍,电容量为单片时的一半
单项选择题
A.并联时输出电压不变,输出电容是单片时的一半
B.并联时输出电压不变,电荷量增加了2倍
C.并联时电荷量增加了2倍,输出电容为单片时2倍
D.并联时电荷量增加了一倍,输出电容为单片时的2倍
单项选择题
A.沿光轴方向施加作用力,不会产生压电效应,也没有电荷产生。
B.沿光轴方向施加作用力,不会产生压电效应,但会有电荷产生。
C.沿光轴方向施加作用力,会产生压电效应,但没有电荷产生。
D.沿光轴方向施加作用力,会产生压电效应,也会有电荷产生。