A.适于测量任意
B.适于测量直流
C.适于测量缓变
D.适于测量动态

A.晶体厚度成反比
B.晶体面积成正比
C.作用在晶片上的压力成正比
D.剩余极化强调成正比

A.前者比后者灵敏度高
B.后者比前者灵敏度高
C.前者比后者性能稳定性好
D.前者机械强度比后者的好

A.串联时输出电压不变，电荷量与单片时相同
B.串联时输出电压增大一倍，电荷量与单片时相同
C.串联时电荷量增大一倍，电容量不变
D.串联时电荷量增大一倍，电容量为单片时的一半

A.并联时输出电压不变，输出电容是单片时的一半
B.并联时输出电压不变，电荷量增加了2倍
C.并联时电荷量增加了2倍，输出电容为单片时2倍
D.并联时电荷量增加了一倍，输出电容为单片时的2倍

A.沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，也没有电荷产生。
B.沿光轴方向施加作用力，不会产生压电效应，但会有电荷产生。
C.沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，但没有电荷产生。
D.沿光轴方向施加作用力，会产生压电效应，也会有电荷产生。

A.调频电路
B.运算放大电路
C.二极管双T型交流电桥
D.脉冲宽度调制电路

A.1
B.2
C.3
D.0

A.调频测量电路
B.运算放大器电路
C.脉冲宽度调制电路
D.相敏检波电路

A.交流电流
B.电场强度
C.重量
D.位移

A.传感器的两次级绕组的电气参数不同
B.传感器的两次级绕组的几何尺寸不对称
C.磁性材料磁化曲线的非线性
D.环境温度的升高