A.0.12s
B.0.20s
C.0.32s
D.0.40s
E.0.44s

A.1/2
B.1/4
C.1/6
D.1/8
E.1/10

A.<0.04s
B.<0.06s
C.<0.08s
D.<0.10s
E.<0.12s

A.1/2
B.1/3
C.1/4
D.1/5
E.1/6

A.0.04～0.08s
B.0.04～0.10s
C.0.06～0.10s
D.0.08～0.10s
E.0.08～0.12s

A.0.08～0.11s
B.0.08～0.20s
C.0.12～0.16s
D.0.12～0.20s
E.0.16～0.24s

A.<0.25mV
B.<0.2mV
C.<0.3mV
D.<0.15mV
E.<0.1mV

A.<0.25mV
B.<0.3mV
C.<0.2mV
D.<0.4mV
E.<0.1mV

A.面对缺血区导联S-T段水平压低≥0.1mV，T波倒置或低平
B.面对缺血区导联S-T段抬高，T波高尖
C.面对缺血区导联Q波加深，深度≥同导联R波的1/4
D.面对缺血区导联Q波加宽，宽度>0.04s
E.QRS波群宽大畸形

A.R波电压降低
B.异常Q波
C.T波直立高耸
D.S-T段抬高
E.T波呈对称性

A.40次/分
B.60次/分
C.80次/分
D.100次/分
E.120次/分