通过使用特定的溶液与需要被腐蚀的薄膜材料进行化学反应，进而除去没有被光刻胶覆盖区域的薄膜。

使胶膜完全溶解所需最小的曝光量。

使角膜开始溶解所需最小曝光量。

是对光刻工艺可以到达的最小光刻圆形尺寸的一种描述。

高分辨率；高灵敏光刻胶；低缺陷；精密的套刻对准。

通过腐蚀，将光刻胶上图形完整整地转移到Si片上。

光刻机，光刻板（掩模板），光刻胶。

通过光化学反应，将光刻板上的图形转移到光刻胶上。

是指利用外延生长的基本原理以及硅在绝缘体上很难核化成膜的特性，在硅表面指定区域生长外延层而其他区域不生长的技术。

绝缘层上进行硅的异质外延。

蓝宝石上硅或者尖晶石的衬底上进行硅的异质外延。