蓝宝石上硅或者尖晶石的衬底上进行硅的异质外延。

在超高真空下，利用薄膜组分元素受热蒸发所形成的原子或分子数，直接射到沉底表面，形成外延层。

衬底杂质与外延层杂质相互扩散，导致界面处杂志再分布的现象。

外延层与沉底的材料不同。

外延层与沉底的材料相同。

生长了外延层的衬底硅片。

衬底上新生长的单晶层。

在单晶衬底上按衬底晶向生长一层新的单晶薄膜的工艺技术。

所有图形上淀积的薄膜厚度相同；也称共性覆盖。

RF激活气体分子（等离子体），使其在低温（室温）下发生化学反应，淀积成膜。