住扩散是将预扩散引入的杂质作为扩散源，在较高的温度下进行扩散，扩散的同时也往往进行氧化。目的是为了控制表面浓度和扩散深度，杂质数量一定，在较高温度下重新分布。

氧气中携带一定量的水汽，Si在其中被氧化成SiO₂的过程。

高温下，硅片与高纯水蒸气反应生成SiO₂的过程。

高温下，氧气与硅片反应生成SiO₂的过程。

即间隙式杂质，如Na，K，Pb，Ca，Ba，Al等。

只与一个Si原子联结的氧，是少数。

连接两个Si-O四面体的氧称为桥键氧，是多数。