对于固相-液相的界面，由于杂质在不同相中的溶解度不一样，所以杂质在界面两边材料中分布的浓度是不同的，这就是所谓杂质的分凝现象。这种杂质分凝作用的大小常常用所谓分凝系数来描述：“分凝系数”=（杂质在固相中的溶解度）/（杂质在液相中的溶解度）。

氧气中携带一定量的水汽，Si在其中被氧化成SiO₂的过程。

高温下，硅片与高纯水蒸气反应生成SiO₂的过程。

高温下，氧气与硅片反应生成SiO₂的过程。

即间隙式杂质，如Na，K，Pb，Ca，Ba，Al等。

只与一个Si原子联结的氧，是少数。

连接两个Si-O四面体的氧称为桥键氧，是多数。

化学机械抛光。

方块电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量。

在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。