连接两个Si-O四面体的氧称为桥键氧，是多数。

化学机械抛光。

方块电阻的大小直接反映了扩散入硅内部的净杂质总量。

在平衡条件下，杂质能溶解在硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。

离子从进入靶到停止为止走过的总距离。

所有入射离子的投影射程的平均值。