（1）理想晶面的生长过程：到达电极上的离子先在平面位置上放电，成为吸附原子，然后扩散到生长点，编入晶格。每层晶面的长大是由生长点沿生长线一排排完成的。每层晶面长满后，生长点和生长线都消失了。新的一层晶面开始生长时，必须在已长满的一层完整晶面上形成二维晶核，以作为新晶面生长的起点。理想晶体就是这样按顺序一层层地长大的。
（2）实际晶面生长过程：绝大多数实际晶体在生长过程中并不需要形成二维晶核。由于实际晶体中总是包含大量的位错，如果晶面绕着位错线螺旋式生长，生长线就永远不会消失。沿着位错线生长是实际晶体的主要生长方式，这是因为该方式消耗能量少，不需要高的过电位而容易进行。

能减小化学反应或电化学反应速率的物质，例如强浸蚀中使用的缓蚀剂。

染料在阳极氧化膜或镀层上的附着能力。

让有机或无机染料吸附在多孔的阳极氧化膜上使之呈现各种颜色的过程。

金属经化学或电化学处理所形成的含有该金属化合物的表面膜层，例如锌或镉上的铬酸盐膜或钢上的氧化膜。

为防止滤渣堆积过于密实，使过滤顺利进行，而使用细碎程度不同的不溶液性惰性材料。

电流方向周期性变化的电镀。

利用规定的中性盐雾试验镀层耐腐蚀性。

在电镀过程中能够改善基体表面微观平整性，以获得平整光滑镀层的稳定剂。

把交流电直接变为直流电的设备。

利用有机溶剂清除制件表面油污的过程。