电路如图所示，已知R1=2KΩ，Rf=10KΩ，R2...

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电路如图所示，已知R₁=2KΩ，R_f=10KΩ，R₂=2KΩ，R₃=18KΩ，u_i=1V，求u_o的值。

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问答题

由理想运放构成的电路如图所示。请计算输出电压u_o的值。

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问答题

设有一级单调谐中频放大器，谐振时电压增益A_v0=10，通频带BW_3dB1=2MHz，如果再用一级电路结构相同的中放与其组成双参差调谐放大器，工作于最佳平坦状态，求级联通频带BW_3dB和级联电压增益A_v0Σ各是多少？若要求同样改变每级放大器的带宽使级联带宽BW′_3dB=8MHz，求改动后的各级增益A′_v0为多大？

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问答题

设有一级单调谐中频放大器，其通频带BW_0.7=4MHz，增益A_v0=10，如果再用一级完全相同的中频放大器与之级联，这时两级中放的总增益和通频带各是多少？若要求级联后的总频带宽度为4MHz，每级放大器应该怎样改动？改动后的总增益为多少？

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问答题

下图表示一单调谐回路中频放大器。已知工作频率f₀＝10.7MHz，回路电容c₂＝56pF，回路电感L=4μH，Q₀＝100，L的圈数N＝20匝，接入系数n₁＝n₂＝0.3。采用晶体管3DG6C，已知晶体管3DG6C在V_CE＝8V，I_E＝2mA时参数如下：

如四级的总通频带（2Δf_0.7）₄保持和单级的通频带2Δf_0.7相同，则单级的通频带应加宽多少？四级的总电压增益下降多少？

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问答题

下图表示一单调谐回路中频放大器。已知工作频率f₀＝10.7MHz，回路电容c₂＝56pF，回路电感L=4μH，Q₀＝100，L的圈数N＝20匝，接入系数n₁＝n₂＝0.3。采用晶体管3DG6C，已知晶体管3DG6C在V_CE＝8V，I_E＝2mA时参数如下：

求四级的总通频带（2Δf_0.7）₄。

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问答题

下图表示一单调谐回路中频放大器。已知工作频率f₀＝10.7MHz，回路电容c₂＝56pF，回路电感L=4μH，Q₀＝100，L的圈数N＝20匝，接入系数n₁＝n₂＝0.3。采用晶体管3DG6C，已知晶体管3DG6C在V_CE＝8V，I_E＝2mA时参数如下：

求四级的总电压增益（A_V0）₄。

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问答题

下图表示一单调谐回路中频放大器。已知工作频率f₀＝10.7MHz，回路电容c₂＝56pF，回路电感L=4μH，Q₀＝100，L的圈数N＝20匝，接入系数n₁＝n₂＝0.3。采用晶体管3DG6C，已知晶体管3DG6C在V_CE＝8V，I_E＝2mA时参数如下：

求单级通频带2Δf_0.7。

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问答题

下图表示一单调谐回路中频放大器。已知工作频率f₀＝10.7MHz，回路电容c₂＝56pF，回路电感L=4µH，Q₀＝100，L的圈数N＝20匝，接入系数n₁＝n₂＝0.3。采用晶体管3DG6C，已知晶体管3DG6C在V_CE＝8V，I_E＝2mA时参数如下：

求单级电压增益A_v0。

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问答题

三级相同的单调谐中频放大器级联，工作频率f₀=450kHz，总电压增益为60dB，总带宽为8kHz，求每一级的增益，3dB带宽和有载Q_e值。

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问答题

下图是中频放大器单级电路图。已知回路电感L=1.5μH，Q₀=100，N₁/N₂=4，C₁-C₄均为耦合电容或旁路电容。晶体管采用CG322A，当I_EQ=2mA，f₀=30MHz，测得Y参数如下：y_ie=（2.8+j3.5）mS，y_re=（-0.08-j0.3）mS，y_fe（36-j27）mS，y_oe（0.2+j2）mS。

当要求该放大器通频带为10MHz时，应在回路两端并联多大的电阻？

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