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问答题

假设某项化学气相淀积工艺受反应速率控制,在700 ℃和800 ℃时的淀积速率分别为500Å/min和2000Å/min,请计算在900℃下的淀积速率是多少?实际测量发现900℃下淀积速率远低于计算值,说明什么?怎样证明?(化学气相淀积的反应速率常数

参考答案:

问答题

识别如图所示工艺,写出每个步骤名称并进行描述。

参考答案:如图所示工艺每个步骤名称为:1 气相成底膜:清洗、脱水,脱水烘焙后立即用HMDS进行成膜处理,起到粘附促进剂的...

问答题

如图为铝金属化与铜金属化工艺的比较。识别并描述每个工艺步骤。

参考答案:(a)铝金属化工艺下层铝导线层间绝缘介质沉积/平坦化通孔刻蚀通孔填充,形成钨插塞上层铝淀积上层铝导线刻蚀(b)铜金属化工...

问答题

依照如图,对硅片制造厂的六个分区分别做一个简短的描述,要求写出分区的主要功能、主要设备以及显著特点。

参考答案:

多项选择题

A.氧化层厚度;
B.沟道中掺杂浓度;
C.金属半导体功函数;
D.氧化层电荷。

单项选择题

A. 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状
B. 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
C. 变成刻蚀介质以形成一个凹槽
D. 在大于3微米的情况下,混合发生化学作用与物理作用

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