寄生双极晶体管中电流增益的改变而引起的MOSFET击穿过程中出现的负阻效应。

由于漏-源电压引起的源极和衬底之间的势垒高度降低，从而导致漏电流的迅速增大。

沟道宽度变窄后阈值电压的偏移。

为了减小电压击穿效应，在紧邻沟道处制造一轻掺杂漏区的MOSFET。

反型电荷密度小于掺杂浓度时的情形。

漏电流的改变量与其对应的栅压改变量之比。

达到阈值反型点所需的栅压。

反型电荷密度大于掺杂浓度时的情形。