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寄生双极晶体管中电流增益的改变而引起的MOSFET击穿过程中出现的负阻效应。
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名词解释
由于漏-源电压引起的源极和衬底之间的势垒高度降低,从而导致漏电流的迅速增大。
沟道宽度变窄后阈值电压的偏移。
为了减小电压击穿效应,在紧邻沟道处制造一轻掺杂漏区的MOSFET。
反型电荷密度小于掺杂浓度时的情形。
漏电流的改变量与其对应的栅压改变量之比。
达到阈值反型点所需的栅压。
反型电荷密度大于掺杂浓度时的情形。
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