反型电荷密度大于掺杂浓度时的情形。

当栅压接近或等于阈值电压时空间电荷宽度的微弱改变，并且反型层电荷密度等于掺杂浓度时的情形。

金属功函数和电子亲合能之差的函数，用φms表示。

阈值反型时氧化层下面的空间电荷区宽度。

反型层中载流子的迁移率。

氧化层下面产生的电荷，它们与半导体掺杂的类型是相反的。

氧化层-半导体界面处禁带宽度中允许电子能态。

由于栅极信号变化引起的输入栅电容的充电或放电时间。

平带条件发生时所加的栅压，此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。