pn结的n区相对于p区加正电压，从而使p区与n区之间势垒的大小超过热平衡状态时势垒的大小。

结pn结内p型掺杂与n型掺杂的分界面。

冶金结两侧的掺杂浓度可以由线性分布近似的pn结。

一种为了实现特殊电容-电压特性而进行冶金结处高掺杂的pn结，其特点为pn结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降。

空间电荷区的另一种表达。

势垒电容的另一种表达。

热平衡状态下pn结内p区与n区的静电电势差。

认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然的不连续。