A.放大
B.抗干扰
C.延时
D.转换

A.GTO和GTR；
B.TRIAC和IGBT；
C.MOSFET和IGBT；
D.SCR和MOSFET；

A.149.2℃；
B.79.2℃；
C.70℃；
D.102℃；

A.选用低导通电阻的驱动管；
B.提高驱动管的驱动信号的边沿陡度；
C.提高开关频率；
D.A和B及减小开关频率；

A.限流
B.储能
C.阻止电流变化
D.瞬间储能

A.输入整流管
B.输出整流管
C.电压瞬变抑制管
D.信号检波管

A.限流电阻上电流变化；稳压管电压变化。
B.限流电阻上电流变化；稳压管电流变化。
C.限流电阻上电压变化；稳压管电压变化。
D.限流电阻上压降变化；稳压管电流变化。

A.该二极与负载电阻RL组成半波整流电路。
B.在负半周时，该二极管将变压器次级短接，烧坏二极管或变压器。
C.对电路正常工作不产生影响。

A.全波整流
B.半波整流
C.倍压整流
D.全桥整流

A.导电
B.不导电
C.导通
D.不导通

A.肖特基势垒
B.快速恢复
C.超快速恢复
D.普通