半导体探测器是六十年代以来发展起来的一种探测器，其探测介质是半导体材料。它的主要优点是：
①能量分辨率高：例如金硅面垒型探测器对Am241的5.486MeV的α射线的半宽度（FWHM）可达10.8KeV。锗锂漂移型探测器对Co60的1.332MeV的γ射线全能峰的半宽度（FWHM）可达1.3KeV。硅锂漂移型探测器对Fe55的X射线峰的半宽度（FWHM）可达150eV。
②线性范围宽：在很大的能量范围内，探测器输出脉冲幅度与被测射线的能量精确地成正比，如锗锂漂移型探测器在300KeV—1.3MeV范围内线性偏离小于0.2KeV。
③对于金硅面垒型或PN结型探测器还有两个优点：一是输出脉冲上升时间快，可达毫微秒数量级；二是体积小，可以做成小型探测器。

闪烁探测器具有分辨时间短，探测效率高等优点。因此，它在很多领域已代替了气体探测器，是当前使用最多的核辐射探测器。

研究气体探测器的工作原理要了解气体探测器中的电离现象。

1、气体探测器；
2、闪烁探测器；
3、半导体探测器。