HPGe探测器也是一种PN结探测器吗？为什么它可以实现较大的结区厚度？

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参考答案： 是。因为HPGe探测器所用的Ge材料杂质浓度很小，仅为1010原子/cm³；

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问答题

为什么PN结探测器结区不能做得很厚？这个缺点带来了什么问题？

参考答案：因为Si材料的掺杂浓度无法做得很小，因此同样反向电压下，结区的厚度不大，仅为mm量级。虽然可以通过提高反向电压来增大厚度...

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问答题

增加金硅面垒探测器的反向电压，会有什么好处，又会有什么坏处？应该怎么选择反向电压的大小？好处是

参考答案：增大灵敏体积，减小结电容（电容噪声小）；
坏处是反向电流会增大；
反向电压有一个最优值，此时能量分辨率最好。

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问答题

在影响半导体探测器分辨率的各项因素中，电荷灵敏前置放大器的噪声也是重要的一项。什么是零电容噪声，什么是噪声斜率？如果零电容噪声为1keV，噪声斜率为0.03keV/pf，现知道由前放造成的能量展宽为7keV，哪么探测器的电容是多大？

参考答案： 200pf

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问答题

综合考虑各项因素对能量分辨率的影响之后，我们将得到一个总的能量展宽ΔE。各分项因素的贡献ΔE1，ΔE2，ΔEi等与ΔE之间存在什么关系？

参考答案： 它们之间是平方和关系

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问答题

要实现这么好的能量分辨率，势必要考虑其它因素对能量分辨率的“败坏”问题，有什么因素会使金硅面垒探测器测量到的能量分辨率变差呢？

参考答案：探测器的噪声信号；
电子学的噪声；
入射窗的影响；
载流子的陷落与复合。

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问答题

就统计学特性而言，PN结探测器能够实现很好的分辨率。如果只考虑统计涨落问题，一个5.486MeV的α粒子在金硅面垒探测器中的能量分辨率是多少？

参考答案： ～4keV

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问答题

载流子在产生之后会有哪些过程使之损失或无法形成信号？为什么希望载流子的寿命长？

参考答案：载流子会因为陷落或复合而损失，无法形成信号；
载流子寿命长有利于实现大体积的探测器，提高对穿透能力较强射线的探测效率。

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问答题

PN结探测器中的耗尽层是怎样形成的？耗尽层的存在与实现高能量分辨率有什么关系？

参考答案：耗尽层的形成，请见讲义；在耗尽层中，由于载流子的数目很少，表现出了高的电阻率，使得漏电流很小，保证了高的...

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问答题

在选择半导体作为探测器材料时，应考虑什么原则？

参考答案：应该有大的电阻率，以减小漏电流和减小结电容；
应该有长的载流子寿命，以保证大体积下载流子的收集。

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问答题

电子和空穴的饱和漂移速度在什么量级？

参考答案： ～107cm/s

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