SRAM使用双稳态触发器存储信息，故集成度较低、功耗较大，但速度较快；DRAM使用电容存储信息，故集成度较高、功耗较小，但由于破坏性读，且行列地址分两次发送，故存储速度较慢；内存条使用DRAM芯片。

一方面外设的状态或控制信息一般只有1位或几位，而一个端口的编址长度为8位，所以一个状态或控制端口能为多个外设共享。