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MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。
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半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。
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绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。
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理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。
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p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。
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栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。
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对
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n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。
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判断题
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栅极材料和半导体衬底材料的功函数差会影响MOS管的阈值电压。
参考答案：
对
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判断题
MOS型场效应晶体管的阈值电压与衬底材料的掺杂浓度是有关的。
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判断题
MOS管阈值电压的单位是eV。
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