问答题
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硅P－N结的N区施主浓度为1×10
15
cm
-3
，τ
h
=1μs；P区受主浓度为6×10
17
cm
-3
，τ
e
=5μs；D
h
=1.3×10
-3
m
2
/s，D
e
=3.5×10
-3
m
2
/s，试计算室温下空穴电流与电子电流之比j
h
/j
e
，饱和电流密度j
0
以及在正向偏压0.3V时，流过P－N结的电流密度j。
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问答题
已知施主浓度为1×10
18
cm
－3
，受主浓度为5×10
16
cm
－3
，试分别求出锗、硅材料在室温下的接触电势差。
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问答题
设空穴的浓度呈线性分布，在3μm内浓度差为1×10
15
cm
－3
，迁移率为400cm
2
/（V·s），试计算室温下的空穴扩散电流密度j
h
。
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问答题
在某一N型半导体电子浓度为1×10
15
cm
－3
，电子迁移率为1000cm
2
/（V·s），求其电阻率。
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问答题
在一个N型锗样品中，非平衡载流子浓度是1×10
13
cm
－3
，空穴寿命为100μs，计算空穴的复合率。
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问答题
光照产生的非平衡载流子的寿命为20μs，试求光照突然停止20μs后，非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？
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根据非平衡载流子的寿命定义可知，非平衡载流子的寿命就是非平衡载流子减少到原来的1/e所需要的时间，由此可知当光照突然停止...
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问答题
当E-E
F
分别为1.5k
B
T，4k
B
T及10k
B
T时，分别用费米分布和玻尔兹曼分布计算占据能级各能级的几率。
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问答题
已知Si中只含施主杂质N
D
=1×10
15
cm
-3
。现在40K下测得电子浓度为1×10
12
cm
-3
，试估算施主杂质的电离能。
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问答题
室温下硅的电子和空穴的有效质量分别为m
*
e
=1.08m
0
和m
*
h
=0.59m
0
；砷化钾的电子和空穴的有效质量分别为m
*
e
m
0
和m
*
h
=0.5m
0
（m
0
是自由电子质量）。在室温下，计算砷化钾的N
C
，N
V
和n
i
（E
g
=1.43eV）。
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问答题
室温下硅的电子和空穴的有效质量分别为m
*
e
=1.08m
0
和m
*
h
=0.59m
0
；砷化钾的电子和空穴的有效质量分别为m
*
e
m
0
和m
*
h
=0.5m
0
（m
0
是自由电子质量）。在室温下，计算硅的N
C
，N
V
和n
i
（E
g
=1.1eV）。
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问答题
已知InSb的介电常数ε＝18，电子有效质量m
*
e
=0.015m
0
（m
0
是自由电子质量），晶格常数a=6.479×10
-10
。若施主均匀分布，相邻杂质原子的轨道之间发生交迭时，掺有的杂质施主浓度应高于多少？
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