查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用

你可能喜欢

问答题

已知施主浓度为1×1018cm-3,受主浓度为5×1016cm-3,试分别求出锗、硅材料在室温下的接触电势差。

参考答案:

问答题

设空穴的浓度呈线性分布,在3μm内浓度差为1×1015cm-3,迁移率为400cm2/(V·s),试计算室温下的空穴扩散电流密度jh

参考答案:

问答题

在某一N型半导体电子浓度为1×1015cm-3,电子迁移率为1000cm2/(V·s),求其电阻率。

参考答案:

问答题

在一个N型锗样品中,非平衡载流子浓度是1×1013cm-3,空穴寿命为100μs,计算空穴的复合率。

参考答案:

问答题

光照产生的非平衡载流子的寿命为20μs,试求光照突然停止20μs后,非平衡载流子将衰减到原来的百分之几?

参考答案:根据非平衡载流子的寿命定义可知,非平衡载流子的寿命就是非平衡载流子减少到原来的1/e所需要的时间,由此可知当光照突然停止...

问答题

当E-EF分别为1.5kBT,4kBT及10kBT时,分别用费米分布和玻尔兹曼分布计算占据能级各能级的几率。

参考答案:

问答题

已知Si中只含施主杂质ND=1×1015cm-3。现在40K下测得电子浓度为1×1012cm-3,试估算施主杂质的电离能。

参考答案:

问答题

室温下硅的电子和空穴的有效质量分别为m*e=1.08m0和m*h=0.59m0;砷化钾的电子和空穴的有效质量分别为m*em0和m*h=0.5m0(m0是自由电子质量)。在室温下,计算砷化钾的NC,NV和ni(Eg=1.43eV)。

参考答案:

问答题

室温下硅的电子和空穴的有效质量分别为m*e=1.08m0和m*h=0.59m0;砷化钾的电子和空穴的有效质量分别为m*em0和m*h=0.5m0(m0是自由电子质量)。在室温下,计算硅的NC,NV和ni(Eg=1.1eV)。

参考答案:

问答题

已知InSb的介电常数ε=18,电子有效质量m*e=0.015m0(m0是自由电子质量),晶格常数a=6.479×10-10。若施主均匀分布,相邻杂质原子的轨道之间发生交迭时,掺有的杂质施主浓度应高于多少?

参考答案:

赞题库

赞题库-搜题找答案

(已有500万+用户使用)


  • 历年真题

  • 章节练习

  • 每日一练

  • 高频考题

  • 错题收藏

  • 在线模考

  • 提分密卷

  • 模拟试题

无需下载 立即使用

版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved