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填空题

当MOSFET器件按照恒场法则等比例缩小时,器件的最高工作频率将()。

参考答案:增大

填空题

当MOSFET的沟道长度很小时,阈值电压将随着沟道长度的减小而(),该现象叫做阈值电压的短沟道效应。

参考答案:减小

填空题

要提高MOSFET的跨导,需要()沟道长度和栅氧化层厚度。

参考答案:减小

填空题

当MOSFET处于亚阈区时,漏源电流与栅压呈()关系。

参考答案:指数

填空题

通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压,当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时,N沟道MOSFET的阈值电压向()方向调整。

参考答案:

填空题

当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时,MOSFET的阈电压会(),这称为衬底偏置效应。

参考答案:增大

填空题

MOSFET的基本工作原理,是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力,从而控制()电流。

参考答案:漏极

填空题

IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流,相当于单独一个()构成的PN结二极管的反向饱和电流。

参考答案:发射结

填空题

共发射极电路中,基极电流IB是输入电流,集电极电流IC是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的IC与IB之比称为(),记为β。

参考答案:共发射极直流短路电流放大系数

填空题

功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的(),记为M。

参考答案:高频优值
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