A.0.5Ω
B.1.5Ω
C.2.5Ω
D.4Ω

A.硅的逆向峰值电压远高于锗
B.硅工作温度远低于锗
C.硅二极管的切入电压低于锗
D.硅的逆向饱和电流高于锗

A.外加电压之频率有关
B.外加电流有关
C.二极管之材料有关
D.外加电压有关

A.出现外加电压
B.出现温度差
C.载子浓度不同
D.电压梯度不同

A.400Ω
B.500Ω
C.800Ω
D.1000Ω

A.线性组件
B.非线性组件
C.拋物线组件
D.以上皆非

A.崩溃时电流维持一定值
B.顺偏时其特性与一般二极管相同
C.可应用于稳压电路
D.可做为参考电源

A.P加正极、N加正极
B.P加负极、N加正极
C.P加正极、N加负极
D.P加负极、N加负极

A.N型半导体
B.P型半导体
C.本质半导体
D.带电半导体

A.VLSI
B.LSI
C.MSI
D.SSI

A.焦耳
B.瓦特
C.法拉
D.库仑