（1）、用高频半导体器件（VMOS或IGBT）取代晶闸管。具有输入阻抗高、开关速度快、高频特性好、线性好、失真小、多管并联、输出容量大等到特点。取消了笨重的工频变压器，重量轻、体积小、效率高、噪音小。
（2）、采用高频变换技术、PWM脉宽调制技术和功率因数校正技术。使功率因数大大提高，接近于1.0，效率高、重量减轻、体积缩小、可靠性高。由于元件集成化，维护工作量小。同时由于控制、调制技术先进，使各项技术指标非常先进。

所有进入微处理器的信号量都必须与外部电路隔离。信号隔离可以采用光电隔离元件，电磁隔离、空接点引入等方法。

励磁装置输出到LCU的模拟量信号有励磁电压，励磁电流，转子温度。

励磁主回路的保护有交流侧阻容浪涌吸收装置、整流桥保护、转子过电压保护、整流桥温度保护和励磁变温度保护。

①、空载投入的稳定性；
②、调节过程的稳定性；
③、手、自动切换的稳定性；
④、带负荷的稳定性；
⑤、元件性能的可靠性。