A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL

A.球状沉淀
B.片状沉淀
C.棒状沉淀
D.多面体沉淀

A.加料--熔化--缩颈生长--等径生长--放肩生长--收尾
B.加料--熔化--缩颈生长--放肩生长--等径生长--收尾
C.加料--熔化--等径生长-放肩生长--缩颈生长--收尾
D.加料--熔化--等径生长长--缩颈生长--放肩生长--收尾

A.不需要坩埚
B.避免了容器污染
C.更易获得高纯度硅
D.成本低

A.钝化晶界
B.钝化错位
C.钝化电活性杂质

A.头尾料和锅底料中含有的氧
B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧
C.石墨加热器与坩埚反应引入的氧
D.外界空气的进入

A.氧及其相关缺陷
B.参杂浓度
C.以间隙铁为主的过渡族金属杂质
D.材料中的缺陷密度及其分布

A.高能耗
B.成本低
C.产量高
D.质量稳定

A、1234
B、123
C、2457
D、4567

A、6
B、2
C、4
D、5

A、损坏
B、蒸发
C、坩埚污染
D、分凝