A.钝化晶界
B.钝化错位
C.钝化电活性杂质

A.头尾料和锅底料中含有的氧
B.晶体生长过程中硅熔体与石英坩埚作用引入的氧
C.石墨加热器与坩埚反应引入的氧
D.外界空气的进入

A.氧及其相关缺陷
B.参杂浓度
C.以间隙铁为主的过渡族金属杂质
D.材料中的缺陷密度及其分布

A.高能耗
B.成本低
C.产量高
D.质量稳定

A、1234
B、123
C、2457
D、4567

A、6
B、2
C、4
D、5

A、损坏
B、蒸发
C、坩埚污染
D、分凝

A、加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
B、加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
C、加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
D、加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长

A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于

A、位错
B、层错
C、肖特基缺陷
D、螺旋位错

A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；
C、平衡载流子破坏原来的热平衡；
D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。