A、1234
B、123
C、1456
D、4567

A、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
B、加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
C、加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
D、加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长

A.调整晶体生长的热系统，使热场的径向温度梯度增大
B.调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
C.调整晶体或者坩埚的转速，调整高温液流的增减
D.增大坩埚内径与晶体直径的比值

A.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B.单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C.单晶生长→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
D.单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包

A.①②④
B.①②③④
C.②③④
D.③④

A.化学清洗
B.rCA清洗
C.超声波清洗

A.低，好，多
B.低，好，少
C.低，差，多
D.高，好，多

A.90%
B.92%
C.95%
D.97%

A.固相生长
B.液相生长
C.气相生长

A.玻璃
B.硅
C.松香
D.塑料

A、线缺陷
B、面缺陷
C、点缺陷
D、体缺陷