判断题
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从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。
参考答案：
错
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判断题
由于平面晶体管的基区宽度容易做得很小，加上基区中存在加速场，因此平面晶体管的β*与1非常接近。
参考答案：
对
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判断题
采用方块电阻来表示双极型晶体管，无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管，其表达式都是一样的。
参考答案：
对
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判断题
输出端对高频小信号短路（即v
cb
=0，但V
CB
＜0）条件下的i
c
与i
e
之比称为共基极高频小信号短路电流放大系数，记为α
ω
。
参考答案：
对
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随着频率的不断提高，晶体管的电流放大能力将会不断降低甚至丧失。
参考答案：
对
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判断题
增大V
A
的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。
参考答案：
对
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