①此方法生长单晶体不需要坩埚，因此既节约了做坩埚的耐高温材料，又避免坩埚造成的污染；②氢氧焰燃烧温度可达2800℃，可生长熔点极高的单晶体；③生长速率较快，短时间内可得大的晶体，适于工业生产。④可以生长出较大尺寸的晶体。

那些没有破坏性相变，又有较低的蒸气压或离解压的同成分熔化的化合物。

①可实现分子水平上的加热，且温度梯度小；②可对混合组成进行选择性加热；③加热无滞后效果。