问答题X 纠错

参考答案:

①此方法生长单晶体不需要坩埚,因此既节约了做坩埚的耐高温材料,又避免坩埚造成的污染;②氢氧焰燃烧温度可达2800℃,可生长熔点极高的单晶体;③生长速率较快,短时间内可得大的晶体,适于工业生产。④可以生长出较大尺寸的晶体。

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参考答案:

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参考答案:

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