问答题
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为提高CMOS集成电路的抗自锁能力，可在版图设计上采取哪些措施？
参考答案：
合理布置电源接触孔，减小横向电流密度和横向电阻。采用伪收集极。采用保护环。
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参考答案：
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问答题
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利用2μm×6μm的多晶硅栅极覆盖在4μm×12μm薄氧化层的正中间构成一个MOS管，已知C
ox
＝5×10
-4
pF/μm
2
，估算栅极电容。
参考答案：
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