问答题X 纠错

参考答案:

电力电子装置可能的过电压原因分为外因和内因。外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因,如由分闸、合闸等开关操作引起过电压。而内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程。
1)换相过电压:晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断,因而有较大的反向电流流过,当恢复了阻断能力时,该反向电流急剧减小,会因线路电感在器件两端感应出过电压;
2)关断过电压:全控型器件关断时,正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。

查答案就用赞题库小程序 还有拍照搜题 语音搜题 快来试试吧
无需下载 立即使用

你可能喜欢

问答题

从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

参考答案:最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR;开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFE...

问答题

试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

参考答案:GTR有二次击穿现象,而PowerMOSFET没有二次击穿现象的根本原因是这两种器件的工作载流子性质不同。GTR这类双极...

问答题

试说明动态参数通态电流临界上升率di/dt和断态电压临界上升率du/dt的意义。

参考答案:晶闸管门极注入触发电流后,晶闸管开始只在靠近门极附近的小区域内导通,随着时间的推移,导通区才逐渐扩大到PN结的全部面积。...

问答题

试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

参考答案:Power MOSFET为单极性器件,没有少数载流子存贮效应,反向恢复时间很短。

问答题

Power MOSFET和GTR哪个易于并联,为什么?

参考答案:Power MOSFET更易于并联,其导通沟道电阻为正温度系数。

问答题

为什么GTO的内部结构与普通晶闸管相似,但却可以通过施加门极负电流使其关断?

参考答案:GTO是一种多元的功率集成器件,内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元,这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一...

问答题

晶闸管串入图所示的电路,试分析开关闭合和关断时电压表的读数。

参考答案:在晶闸管有触发脉冲的情况下,S开关闭合,电压表读数接近输入直流电压;当S开关断开时,由于电压表内阻很大,即使晶闸管有触发...

问答题

试分析可能出现的晶闸管的非正常导通方式有哪几种。

参考答案:阳极电压达到正向转折电压Ubo;阳极电压上升率du/dt过高;结温过高。

问答题

若流过晶闸管的电流波形如图所示,电流峰值为Im,试求该电流的波形系数,并选择晶闸管(不考虑电压、电流裕量)。

参考答案:

问答题

维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?

参考答案:晶闸管流过的电流大于维持电流;通过外部电路使晶闸管流过的电流低于维持电流。
赞题库

赞题库-搜题找答案

(已有500万+用户使用)


  • 历年真题

  • 章节练习

  • 每日一练

  • 高频考题

  • 错题收藏

  • 在线模考

  • 提分密卷

  • 模拟试题

无需下载 立即使用

版权所有©考试资料网(ppkao.com)All Rights Reserved