单项选择题X 纠错
A.锗二极管的门槛电压,相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流,相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时,电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时,会形成反向饱和电流,相当于二极管导通
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单项选择题
A.空间电荷区的电阻率很高
B.PN结的内电场是从P区指向N区的
C.由载流子浓度差引起的载流子运动,称为扩散运动
D.漂移运动指的是电场作用所引起的载流子的运动
单项选择题
A.半导体的导电能力是随着温度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一个带正电的粒子,电量与电子相等
C.可以用空穴移动产生的电流来代替受束缚的电子移动产生的电流
D.硅的价电子比锗的价电子越容易摆脱束缚(相同情况)
单项选择题
A.从同相端看进去的等效输入电阻为0
B.从同相端看进去的等效输入电阻为R2
C.从同相端看进去的等效输入电阻为无穷大
D.从同相端看进去的等效输入电阻为R1