A.锗二极管的门槛电压，相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流，相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时，电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时，会形成反向饱和电流，相当于二极管导通

A.大的正向扩散电流
B.PN结导通
C.低电阻
D.高电阻

A.空间电荷区的电阻率很高
B.PN结的内电场是从P区指向N区的
C.由载流子浓度差引起的载流子运动，称为扩散运动
D.漂移运动指的是电场作用所引起的载流子的运动

A.N型半导体，自由电子数是远远大于空穴数的
B.N型半导体中，自由电子是多子
C.N型半导体中，空穴是多子
D.N型半导体中的空穴主要由热激发形成

A.半导体的导电能力是随着温度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一个带正电的粒子，电量与电子相等
C.可以用空穴移动产生的电流来代替受束缚的电子移动产生的电流
D.硅的价电子比锗的价电子越容易摆脱束缚（相同情况）

A.R₁/R₂
B.R₂/R₁
C.-R₁/R₂
D.-R₂/R₁

A.4
B.3
C.2
D.1

A.输出级是为了电压的放大
B.有一个输入端和一个输出端
C.为了得到虚短和虚断，需要引入负反馈
D.反相放大电路的等效输入电阻为无穷大

A.从同相端看进去的等效输入电阻为0
B.从同相端看进去的等效输入电阻为R₂
C.从同相端看进去的等效输入电阻为无穷大
D.从同相端看进去的等效输入电阻为R₁

A.R₂
B.R₃
C.R₁
D.R₂+R₃

A.输入端的电流趋向于0
B.线性区的范围很小
C.输出电阻趋向于0
D.输入电阻趋向于0