单项选择题X 纠错

A.锗二极管的门槛电压,相对硅而言比较小
B.锗二极管的反向饱和电流,相对硅而言更大一点
C.二极管两端所加的正向电压大于门槛电压时,电流呈现指数增加
D.二极管两端施加反向电压时,会形成反向饱和电流,相当于二极管导通

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单项选择题

A.大的正向扩散电流
B.PN结导通
C.低电阻
D.高电阻

单项选择题

A.空间电荷区的电阻率很高
B.PN结的内电场是从P区指向N区的
C.由载流子浓度差引起的载流子运动,称为扩散运动
D.漂移运动指的是电场作用所引起的载流子的运动

单项选择题

A.N型半导体,自由电子数是远远大于空穴数的
B.N型半导体中,自由电子是多子
C.N型半导体中,空穴是多子
D.N型半导体中的空穴主要由热激发形成

单项选择题

A.半导体的导电能力是随着温度的增加而增加的
B.空穴可以看成是一个带正电的粒子,电量与电子相等
C.可以用空穴移动产生的电流来代替受束缚的电子移动产生的电流
D.硅的价电子比锗的价电子越容易摆脱束缚(相同情况)

单项选择题

A.输出级是为了电压的放大
B.有一个输入端和一个输出端
C.为了得到虚短和虚断,需要引入负反馈
D.反相放大电路的等效输入电阻为无穷大

单项选择题

A.从同相端看进去的等效输入电阻为0
B.从同相端看进去的等效输入电阻为R2
C.从同相端看进去的等效输入电阻为无穷大
D.从同相端看进去的等效输入电阻为R1

单项选择题

A.输入端的电流趋向于0
B.线性区的范围很小
C.输出电阻趋向于0
D.输入电阻趋向于0

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