A.高灵敏度、高抗辐射能力、温度影响小、灵敏体积小
B.高灵敏度、能量反应范围宽、温度影响小、灵敏体积小
C.高灵敏度、高抗辐射能力、高能量响应范围、温度影响小
D.高灵敏度、能量响应范围宽、温度影响小
E.高灵敏度、能量响应范围宽、灵敏体积小

A.该材料易于加工
B.该材料不易损坏
C.该材料价格便宜
D.该材料对测量结果影响小
E.该材料颜色适合

A.电离室的方向性、杆效应及温度气压的影响
B.电离室的工作电压、杆效应及温度气压的影响
C.电离室的工作电压、方向性、杆效应及温度气压的影响
D.电离室的工作电压、方向性、杆效应及温度气压的影响
E.电离室的工作电压、方向性、一致性及温度气压的影响

A.空气剂量计、半导体剂量计、胶片剂量计、荧光板
B.热释光剂量仪、半导体剂量计、胶片剂量计、光电倍增管
C.电离室型剂量仪、半导体剂量计、热释光剂量仪、胶片剂量计
D.非晶硅探测器、电离室型剂量仪、半导体剂量计、胶片剂量计
E.荧光板、半导体剂量计、胶片剂量计、热释光剂量仪

A.加上俄歇电子的能量时
B.加上韧致辐射损失的能量时
C.忽略韧致辐射损失的能量时
D.忽略俄歇电子的能量时
E.加上俄歇电子和韧致辐射损失的能量时

A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy

A.100cGy
B.150cGy
C.180cGy
D.200cGy
E.250cGy

A.介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最小
B.介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最大
C.介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加先增加然后减少，直到吸收剂量达到最小
D.介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而增加，直到吸收剂量达到最小
E.介质内的吸收剂量随介质表面下的深度增加而减少，直到吸收剂量达到最大

A.介质中某小区域的电子数目达到某种重量平衡
B.介质中某小区域的电子逃不出该处从而使电子数目在一段时间内固定不变
C.介质中某小区域入射的电子数目与逃出该处的电子数目相同
D.介质中某小区域次级电子带走的入射光子贡献的能量与入射该区的次级电子带来的能量相等
E.介质中电子数量达到某一数值，与另外一处数目相同

A.库仑C.
B.伦琴（R）
C.戈瑞（Gy）
D.C/kg
E.拉德（raD.

A.光子释放的次级电子被完全阻止时，产生的离子电荷量与单位质量空气的比值
B.光子释放的次级电子被完全阻止时，产生的离子总电荷量与单位质量空气的比值
C.光子释放的次级电子被完全阻止时，产生的同一种符号的离子总电荷量与单位质量空气的比值
D.光子释放的所有次级电子被完全阻止时，产生的同一种符号的离子总电荷量与单位质量空气的比值
E.光子释放的所有次级电子被完全阻止时，产生的同一种符号的离子总电荷量的绝对值与单位质量空气的比值