填空题X 纠错

半导体具有的负的温度系数的发现年份是（）年。

参考答案：1833
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填空题

半导体的主要特征有（）（）（）和（）。

参考答案：电阻率可在很大范围内变化；温度对半导体影响很大；光照对半导体影响很大；气体、压力、磁场等都对半导体影响很大
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判断题

氧化铝（Al2O3）的介电常数一般低于氮化硅（Si3N4）的介电常数。

参考答案：错
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判断题

MOS管的阈值电压是漏源之间的导电沟道出现强反型时的最小栅极电压，即半导体的表面势大于费米势时的栅极电压。

参考答案：错
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判断题

半导体衬底材料与栅极材料之间的逸出功差变化范围较小。

参考答案：对
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判断题

绝缘层材料质量影响MOS管的阈值电压。

参考答案：对
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判断题

理想的MOS管其栅极电压只会落在绝缘层和半导体衬底表面层上，栅极分压占比小于50%。

参考答案：错
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判断题

p型衬底材料的MOS管，其半导体的掺杂浓度增大，阈值电压随之增大。

参考答案：对
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判断题

栅极材料与半导体材料的功函数差会因半导体材料的掺杂浓度变化而变化。

参考答案：对
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判断题

n沟耗尽型MOS型场效应晶体管的阈值电压一定大于相应的n沟增强型MOS管的阈值电压。

参考答案：错
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判断题

MOS管的阈值电压与绝缘栅层的杂质浓度无关。

参考答案：错
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