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问答题

本征半导体中,从价带激发至导带的电子和价带产生的空穴参与电导。激发的电子数n可近似表示为n=Nexp(-Eg/2KT):,式中N为状态密度,k为波尔兹曼常数,T为绝对温度。试回答以下问题:

参考答案:

问答题

用能量的观点说明铁磁体内形成磁畴的原因。

参考答案:根据热力学定律,稳定的磁状态一定是对应于铁磁材料内总自由能极小值的状态.磁畴的形成和稳定的结构状态,也是对应于满足总的自...

问答题

自发磁化的物理本质是什么?材料具有铁磁性的充要条件是什么?

参考答案:铁磁体自发磁化的本质是电子间的静电交换相互作用材料具有铁磁性的充要条件为:1)必要条件:材料原子中具有未充满的电子壳层,...

问答题

为什么碳化硅的电容光焕发率与其折射率的平方n2相等。

参考答案:

问答题

光通过一块厚度为1mm 的透明Al2O3板后强度降低了15%,试计算其吸收和散射系数的总和。

参考答案:

问答题

一入射光以较小的入射角i和折射角r通过一透明明玻璃板,若玻璃对光的衰减可忽略不计,试证明明透过后的光强为(1-m)2

参考答案:

问答题

一热机部件由反应烧结氮化硅制成,其热导率λ=0.184J/(cm.s.℃),最大厚度=120mm.如果表面热传递系数h=0.05J/(cm2.s.℃),假定形状因子S=1,估算可兹应用的热冲击最大允许温差。

参考答案:

问答题

如果A原子的原子半径为B的两倍,那么在其它条件都是相同的情况下,原子A的电子极化率大约是B的多少倍?

参考答案:

问答题

计算室温(298K)及高温(1273K)时莫来石瓷的摩尔热容值,并请和按杜龙-伯蒂规律计算的结果比较。

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问答题

根据缺陷化学原理推导(1)ZnO电导率与氧分压的关系。(2)讨论添加Al2O3对NiO电导率的影响。

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