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问答题

画出P型(100)、(111)和N型(100)、(111)单晶抛光硅片的外形判别示意图。

参考答案:

填空题

半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。

参考答案:Si;Ge;GaAs;InP;(100);(111);SiO2;Si3N4;Al;Cu

问答题

简述1990年代CMOS工艺技术特征:特征尺寸、晶圆尺寸、衬底、隔离、源漏、栅极材料、光刻光源、曝光方式(光刻机)、刻蚀、互连材料及方式等。

参考答案:

问答题

简述CMOS双阱工艺,画出标准埋层双极工艺流程示意图。

参考答案:

问答题

分析比较CMOS工艺中LOCOS和STI两种隔离技术的各自特点。

参考答案:

问答题

在VLSI中,为什么要采用Cu互连及多层金属化技术?

参考答案:

因为Cu的互连线电阻率低,介质层介电常数小。
多层互连对VLSI的意义:1提高集成度;2降低互连延迟3降低成本

问答题

什么是分辨率?如何提高分辨率?

参考答案:(1)分辨率(resolution)就是屏幕图像的精密度,是指显示器所能显示的像素的多少。由于屏幕上的点、线和面都是由像...

问答题

简要说明正胶和负胶的关光刻原理与特性。

参考答案:原理:临时性地涂覆在硅片表面,通过曝光转移设计图形到光刻胶上。负胶特性:1曝光后不可溶解2显影时未曝光的被溶解3便宜正胶...

问答题

为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺?光刻的三个要素是什么?

参考答案:因为光刻在IC制造中①占芯片制造时间的40 to 50%②占芯片制造成本的1/3③决定芯片的最小特征...

问答题

简述PECVD技术的工艺原理、工艺特征及工艺应用。

参考答案:

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